RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
51
Intorno -113% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
24
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2509
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link