RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
51
Rund um -113% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
10.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
2509
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link