RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
87
Autour de -172% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3436
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link