RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
64
87
Autour de -36% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
64
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2197
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link