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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
64
87
左右 -36% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
64
读取速度,GB/s
3,155.6
18.0
写入速度,GB/s
870.4
8.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2197
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
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