RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
87
94
Autour de 7% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
4.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5.6
3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
94
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
5.6
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
4.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
1334
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link