RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
87
94
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
4.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5.6
3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
94
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
5.6
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
4.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
1334
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link