RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
87
Autour de -102% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
43
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2532
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link