RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
87
Wokół strony -102% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
43
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2532
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link