RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
87
Wokół strony -102% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
43
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2532
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link