TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Note globale
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Note globale
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 15.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    870.4 left arrow 11.0
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    60 left arrow 87
    Autour de -45% latence réduite
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 5300
    Autour de 4.83 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    87 left arrow 60
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,155.6 left arrow 15.3
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    870.4 left arrow 11.0
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    417 left arrow 2359
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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