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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
87
Autour de -172% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
1897
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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