RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
87
Autour de -211% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3552
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link