RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
87
Wokół strony -211% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3552
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link