RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
60
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2221
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link