RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
18.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
87
Autour de -278% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
18.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
4095
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link