RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
18.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
87
Около -278% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
19.6
Скорость записи, Гб/сек
870.4
18.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
4095
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link