RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
53
Autour de -121% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3089
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link