RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
53
Autour de -66% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3726
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link