RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
53
Autour de -83% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3672
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link