RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
53
Autour de -96% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3271
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link