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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
53
左右 -96% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
27
读取速度,GB/s
3,726.4
14.9
写入速度,GB/s
1,590.1
12.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3271
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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