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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
53
Autour de -71% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3300
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
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G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
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