RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
53
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3300
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link