RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
21.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
53
Autour de -121% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.8
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
21.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
19.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
4394
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link