RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
53
Autour de -141% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3036
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link