RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
53
Intorno -141% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
22
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
3036
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link