RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
53
Autour de -121% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3049
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link