RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
53
Autour de -77% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3527
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link