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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
53
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.3
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
30
读取速度,GB/s
3,726.4
16.8
写入速度,GB/s
1,590.1
14.3
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3527
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-025.A00G 8GB
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Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
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