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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Raisons de considérer
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
53
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.5
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.6
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
44
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
1660
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
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