RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
53
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.5
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.6
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
44
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
8.5
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
1660
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link