RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
48
Около 46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
48
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
11.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2568
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link