RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
48
Autour de 46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
48
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2568
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link