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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
53
Autour de -130% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3147
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
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Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
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