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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
53
Autour de -71% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
3649
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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