RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
53
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3649
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link