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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Comparez
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Note globale
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Note globale
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
75
Autour de 67% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
75
Vitesse de lecture, GB/s
12.5
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2180
1590
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
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