RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Comparez
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Note globale
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
26
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.5
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2180
2646
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link