RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Comparez
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Note globale
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Note globale
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
25
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.5
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2180
2755
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link