RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Comparez
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Note globale
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de 14% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.1
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.5
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2180
3748
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link