RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Comparez
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Note globale
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
39
Autour de 36% latence réduite
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
39
Vitesse de lecture, GB/s
12.5
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2180
2188
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link