RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
96
Autour de -200% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
2804
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link