RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
96
Autour de -220% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.4
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.8
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
4156
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link