RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
96
Около -220% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
21.4
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
4156
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link