RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
45
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
45
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2925
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Сравнения RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link