Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    2 left arrow 14.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    27 left arrow 96
    Autour de -256% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    10.5 left arrow 1,336.0
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 6400
    Autour de 2.66 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    96 left arrow 27
  • Vitesse de lecture, GB/s
    2,725.2 left arrow 14.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,336.0 left arrow 10.5
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    438 left arrow 2409
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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