RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
96
Около -256% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.5
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
14.6
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2409
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link