RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
96
Около -256% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.5
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
14.6
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2409
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link