RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
12.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
18.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
3800
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FK 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link