RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
12.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2256
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link