Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.6 left arrow 12.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    11.8 left arrow 6.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 17000
    Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    24 left arrow 51
    Wokół strony -113% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    51 left arrow 24
  • Prędkość odczytu, GB/s
    15.6 left arrow 12.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    11.8 left arrow 6.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2687 left arrow 2256
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania